Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics OSD, IR, λ sensibilidad máx. 550nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 2

Código RS:: 183-7123
Nº ref. fabric.:: OSD1-E
Fabricante:: OSI Optoelectronics

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics OSD, IR, λ sensibilidad máx. 550nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 2

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 28/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (En una bandeja de 10)

15,682 €

(exc. IVA)

18,975 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Bandeja*
10 +	15,682 €	156,82 €
*precio indicativo

Código RS:: 183-7123
Nº ref. fabric.:: OSD1-E
Fabricante:: OSI Optoelectronics

Documentación Técnica

Datasheet OSD1-E

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

High Speed Response
Low Capacitance
Low Dark Current
Wide Dynamic Range
High Responsivity
APPLICATIONS
Pulse Detectors
Optical Communications
Bar Code Readers
Optical Remote Control
Medical Equipment
High Speed Photometry

Especificaciones

Atributo	Valor
Espectros Detectados	Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico	550nm
Encapsulado	TO-18
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Función de amplificador	No
Número de Pines	2
Material del Diodo	Si
Altura	0.2plg
Diámetro	5.33mm
Serie	OSD
Polaridad	Inverso

Código RS:: 183-7123
Nº ref. fabric.:: OSD1-E
Fabricante:: OSI Optoelectronics

Datasheet OSD1-E

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics OSD, IR, λ sensibilidad máx. 550nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 2

Documentación Técnica

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Especificaciones

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