Fotodiodo InGaAs Hamamatsu, IR, mont. superficial, encapsulado SMD
- Código RS:
- 261-6233
- Nº ref. fabric.:
- G11193-02R
- Fabricante:
- Hamamatsu Photonics
7 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
45,39 €
(exc. IVA)
54,92 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 3 | 45,39 € |
| 4 + | 43,13 € |
- Código RS:
- 261-6233
- Nº ref. fabric.:
- G11193-02R
- Fabricante:
- Hamamatsu Photonics
Enlaces relacionados
- Fotodiodo InGaAs Hamamatsu, IR, mont. superficial, encapsulado SMD
- Fotodiodo InGaAs Hamamatsu, IR, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3 pines
- Fotodiodo InGaAs Intelligent LED Solutions G11193, IR, λ...
- Fotodiodo PIN de silicio Broadcom, IR, λ sensibilidad máx. 960nm,...
- Fotodiodo de silicio Hamamatsu, luz visible, λ sensibilidad máx....
- Fotodiodo de silicio Hamamatsu, luz visible, λ sensibilidad máx....
- Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAs, IR, λ...
- Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAs, IR, λ...