Fotodiodo Hamamatsu Photonics G12180, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-18 de 3

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Código RS:
261-6239
Nº ref. fabric.:
G12180-010A
Fabricante:
Hamamatsu Photonics
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Marca

Hamamatsu Photonics

Espectros detectados

Infrarrojo

Tipo de producto

Fotodiodo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

1500nm

Encapsulado

TO-18

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

100°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

G12180

Corriente residual

4nA

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP
Los fotodiodos PIN InGaAs de Hamamatsu Photonics tienen una gran resistencia de derivación y un ruido muy bajo. Proporciona varios tipos de fotodiodos PIN InGaAs con área fotosensible de φ0,3 mm a φ5 mm.

Bajo ruido, baja corriente de oscuridad

Baja capacitancia de terminal

Gran área fotosensible

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