Fotodiodo PIN de silicio Broadcom, IR, λ sensibilidad máx. 960nm, mont. superficial, encapsulado SMD de 3 pines
- Código RS:
- 275-8944
- Nº ref. fabric.:
- AEPD-C0D0-00000
- Fabricante:
- Broadcom
Descuento aplicable por cantidad
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)**
0,814 €
(exc. IVA)
0,985 €
(inc.IVA)
14950 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*
* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Unidades | Por unidad | Por Pack** |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,814 € | 4,07 € |
| 50 - 95 | 0,534 € | 2,67 € |
| 100 - 245 | 0,348 € | 1,74 € |
| 250 - 495 | 0,342 € | 1,71 € |
| 500 + | 0,334 € | 1,67 € |
**precio indicativo
Enlaces relacionados
- Fotodiodo PIN de silicio Broadcom λ sensibilidad máx. 960nm...
- Fotodiodo de silicioHamamatsu S1223 λ sensibilidad máx. 960nm...
- Fotodiodo de silicioHamamatsu λ sensibilidad máx. 960nm...
- Fotodiodo Sharp IS λ sensibilidad máx. 800 → 900nm de 4 pines
- Fotodiodo Sharp IS47 λ sensibilidad máx. 800 → 900nm de 4 pines
- Fotodiodo de silicio Vishay BP1 λ sensibilidad máx. 950nm, mont....
- Fotodiodo de silicio Vishay VEMD109 λ sensibilidad máx. 920nm,...
- Fotodiodo de silicio Vishay TEMD λ sensibilidad máx. 940nm, mont....