Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + UV + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de

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Código RS:
497-5677
Nº ref. fabric.:
BPX 65
Fabricante:
ams OSRAM
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Marca

ams OSRAM

Espectros Detectados

Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

850nm

Encapsulado

TO-18

Función de amplificador

No

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

2

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

350nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

5.6mm

Anchura

5.6mm

Altura

5.5mm

Fotosensibilidad de Pico

0.55A/W

Polaridad

Directo

Encapsulado de fotodiodo PIN TO-18


El fotodiodo PIN BPX 65, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en los encapsulados de metal TO-18. El encapsulado metálico está herméticamente sellado, lo que hace que el BPX 65 resulte ideal para aplicaciones en entornos hostiles a temperaturas de hasta 125 °C. Entre otras aplicaciones adecuadas se cuentan la electrónica industrial, los fotodetectores de alta velocidad y los circuitos de control/accionamiento.

Características de los fotodiodos PIN de silicio BPX 65:
Encapsulado metálico TO-18
Montaje de orificio pasante
Longitud de onda: de 350 a 1100 nm
Tiempo de conmutación corto


Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors

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