Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 900nm, mont. pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines

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Código RS:
654-8895
Nº ref. fabric.:
SFH 213 FA
Fabricante:
ams OSRAM
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Marca

ams OSRAM

Espectros Detectados

Infrarrojo

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

900nm

Encapsulado

T-1 3/4

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Función de amplificador

No

Número de Pines

2

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

750nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

5.9mm

Anchura

5mm

Altura

9mm

Fotosensibilidad de Pico

0.65A/W

Polaridad

Directo

Fotodiodo PIN - Encapsulado T-1 3/4 (5 mm)


Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-1 3/4 (5 mm) estándar. Tienen un área sensible a la radiación de 1 x 1 mm². Los fotodiodos de encapsulado T-1 3/4 ofrecen un tiempo de conmutación corto. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores de alta velocidad, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.


Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors

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