Fotodiodo OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado

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Código RS:
848-6272
Nº ref. fabric.:
FCI-InGaAs-Q3000
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Espectros detectados

Infrarrojo

Tipo de producto

Fotodiodo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

1550nm

Encapsulado

TO-8

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Mínima longitud de onda detectada

1100nm

Máxima longitud de onda detectada

1620nm

Tiempo de caída típico

24ns

Amplificado

No

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5 mm

Longitud

13.97mm

Altura

6.6mm

Diámetro

15.24 mm

Ángulo de media sensibilidad

65 °

Tensión de ruptura

30V

Tiempo de subida típico

24ns

Serie

FCI-InGaAS

Estándar de automoción

No

Polaridad

Inverso

Corriente residual

0.2nA

Fotodiodos InGaAs de gran área activa OSI


La serie FCI-InGaAs-xxx-x, de OSI Optoelectronics, son fotodiodos InGaAs de gran área activa. Es una gama de detectores sensibles a infrarrojos que ofrecen responsividad alta (1.100-1.620 nm). Se suministran en encapsulados TO-46 o TO-5 con una ventana plana. Las aplicaciones adecuadas para esta familia de fotodiodos incluye: instrumentación de infrarrojos, control, instrumentación óptica, medida de potencia, detección por infrarrojos y dispositivos médicos.

Características:

Gran área activa: 1 mm, 1,5 mm y 3 mm

Responsividad alta

Bajo ruido

Rango espectral: 900 nm - 1.700 nm

Fotodiodos, OSI Optoelectronics


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