Fotodiodo OSI Optoelectronics DL, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 670 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-8 de 3

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Código RS:
848-6275
Nº ref. fabric.:
PIN DL-4
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Espectros detectados

Infrarrojo

Tipo de producto

Fotodiodo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

670nm

Encapsulado

TO-8

Tipo de montaje

Orificio pasante

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Número de pines

3

Mínima longitud de onda detectada

320nm

Máxima longitud de onda detectada

1100nm

Tiempo de caída típico

0.08μs

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Amplificado

No

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.59mm

Longitud

8mm

Ángulo de media sensibilidad

65 °

Diámetro

15.24mm

Polaridad

Inverso

Estándar de automoción

No

Serie

DL

Tiempo de subida típico

0.08μs

Corriente residual

0.2nA

Tensión de ruptura

30V

COO (País de Origen):
US

Sensores de detección de posición (PSD) OSI


Esta familia de sensores de detección de posición (PSD), de OSI Optoelectronics, utiliza tecnología lateral doble. Proporcionan una salida analógica continua que ofrece alta fiabilidad de posición sobre la mayor parte del área de detección. Se pueden medir una o dos posiciones dimensionales con esta gama de PSD.

Las aplicaciones adecuadas para estos sensores de detección de posición (PSD) incluyen: alineación de haz, detección de posición, medida de ángulo, medidas de altura y análisis de movimiento.

Características:

Súper lineal

Alta precisión

Amplia escala dinámica

Alta fiabilidad

Estructura lateral doble

Fotodiodos, OSI Optoelectronics


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