Fotodiodo OSI Optoelectronics DL, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 670 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-8 de 3

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Código RS:
848-6275
Nº ref. fabric.:
PIN DL-4
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Espectros detectados

Infrarrojo

Tipo de producto

Fotodiodo

Longitud de onda de sensibilidad máxima

670nm

Encapsulado

TO-8

Embalaje y empaquetado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Mínima longitud de onda detectada

320nm

Máxima longitud de onda detectada

1100nm

Tiempo de caída típico

0.08μs

Amplificado

No

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Longitud

8mm

Anchura

5mm

Altura

5.59mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Diámetro

15.24mm

Ángulo de media sensibilidad

65 °

Serie

DL

Polaridad

Inverso

Tiempo de subida típico

0.08μs

Tensión de ruptura

30V

Estándar de automoción

No

Corriente residual

0.2nA

COO (País de Origen):
US

Sensores de detección de posición (PSD) OSI


Esta familia de sensores de detección de posición (PSD), de OSI Optoelectronics, utiliza tecnología lateral doble. Proporcionan una salida analógica continua que ofrece alta fiabilidad de posición sobre la mayor parte del área de detección. Se pueden medir una o dos posiciones dimensionales con esta gama de PSD.

Las aplicaciones adecuadas para estos sensores de detección de posición (PSD) incluyen: alineación de haz, detección de posición, medida de ángulo, medidas de altura y análisis de movimiento.

Características:

Súper lineal

Alta precisión

Amplia escala dinámica

Alta fiabilidad

Estructura lateral doble

Fotodiodos, OSI Optoelectronics


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