Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 5 mm (T-1

Código RS:: 165-4935
Nº ref. fabric.:: BPW96B
Fabricante:: Vishay

Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 5 mm (T-1

11275 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En una bolsa de 1000)

0,375 €

(exc. IVA)

0,454 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Bolsa*
1000 - 1000	0,375 €	375,00 €
2000 +	0,353 €	353,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-4935
Nº ref. fabric.:: BPW96B
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

BPW96B, BPW96C, Silicon NPN Phototransistor

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: PH

Datos del Producto

Fototransistores series BPW96B y BPW96C

Las series BPW96B y BPW96C, de Vishay Semiconductor, son una familia de fototransistores NPN de silicio. Disponen de encapsulados de 5 mm (T-1 3/4) de orificio pasante con una lente de plástico transparente. Esto permite que los fototransistores BPW96B y BPW96C sean sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Las aplicaciones adecuadas para estos transistores incluyen detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.

Características de los fototransistores BPW96B y BPW96C:
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje en orificio pasante
Encapsulado de plástico transparente
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos

Fototransistores de infrarrojos, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Espectros Detectados	Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico	2.3µs
Tiempo de Subida Típico	2µs
Corriente de Luz Máxima	7500µA
Corriente de Oscuridad Máxima	200nA
Ángulo de Sensibilidad Media	±20 °
Polaridad	NPN
Número de Pines	2
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Encapsulado	5 mm (T-1 3/4)
Dimensiones	5 (Dia.) x 8.6mm
Corriente del Colector	50mA
Diámetro	5mm
Rango Espectral de Sensibilidad	450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada	450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada	1080nm
Altura	8.6mm
Tensión de saturación	0.3V
Tensión del colector de emisión	70 (Min) V
Tensión del colector de emisión	5V