STMicroelectronics IGBT, STGB3NC120HDT4, N-Canal, 14 A, 1200 V, TO-263, 3 pines Superficie, 15 ns
- Código RS:
- 151-940P
- Nº ref. fabric.:
- STGB3NC120HDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 245 | 1,922 € |
| 250 - 495 | 1,716 € |
| 500 + | 1,474 € |
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- Código RS:
- 151-940P
- Nº ref. fabric.:
- STGB3NC120HDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 14A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 15ns | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.4mm | |
| Longitud | 16mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 14A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 15ns | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.4mm | ||
Longitud 16mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El IGBT de STMicroelectronics muestra un excelente equilibrio entre pérdidas de conducción bajas y rendimiento de conmutación rápido. Está diseñado en tecnología Power MESH combinada con diodo ultrarrápido de alta tensión.
Capacidad de alta tensión
Alta velocidad
Diodo antiparalelo de recuperación ultrarrápida muy suave