- Código RS:
- 194-760
- Nº ref. fabric.:
- IXGH6N170
- Fabricante:
- IXYS
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Añadido
Precio Unidad
12,01 €
(exc. IVA)
14,53 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
1 - 4 | 12,01 € |
5 - 24 | 10,81 € |
25 - 49 | 10,02 € |
50 - 99 | 9,36 € |
100 + | 8,71 € |
- Código RS:
- 194-760
- Nº ref. fabric.:
- IXGH6N170
- Fabricante:
- IXYS
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 6 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.700 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Tipo de Encapsulado | TO-247AD |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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