IXYS IGBT, IXGH32N170, Tipo N-Canal, 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 pines Orificio pasante, 250 ns
- Código RS:
- 194-899
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-415
- Nº ref. fabric.:
- IXGH32N170
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 194-899
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- 302-53-415
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- IXGH32N170
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1700V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350W | |
| Encapsulado | TO-247AD | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 250ns | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 3.3V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | UL 94 V-0 | |
| Serie | High Voltage | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1700V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350W | ||
Encapsulado TO-247AD | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 250ns | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.3V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares UL 94 V-0 | ||
Serie High Voltage | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.