ROHM IGBT, RGTV60TS65GC13, N-Canal, 60 A, 650 V, TO-247GE, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 265-329
- Nº ref. fabric.:
- RGTV60TS65GC13
- Fabricante:
- ROHM
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,75 € | 9,50 € |
| 20 - 198 | 4,28 € | 8,56 € |
| 200 - 998 | 3,95 € | 7,90 € |
| 1000 - 1998 | 3,66 € | 7,32 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 265-329
- Nº ref. fabric.:
- RGTV60TS65GC13
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 60A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 194W | |
| Encapsulado | TO-247GE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 60A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 194W | ||
Encapsulado TO-247GE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de ROHM se caracteriza por una baja tensión de saturación del colector emisor, lo que lo hace ideal para aplicaciones como la corrección del factor de potencia, inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida, soldadura y calentamiento por inducción. Está diseñado para ofrecer un rendimiento eficaz con un tiempo de resistencia al cortocircuito de 2 microsegundos, lo que garantiza un funcionamiento fiable y protección en entornos exigentes. Esta combinación de características mejora su idoneidad para diversas aplicaciones de alto rendimiento.
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