IGBT, DG75A08TDFQ, N-Canal, 75 A, 750 V, TO-247PLUS-4L, 4-Pines 1
- Código RS:
- 427-754
- Nº ref. fabric.:
- DG75A08TDFQ
- Fabricante:
- Starpower
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,77 € | 7,54 € |
| 20 - 198 | 3,395 € | 6,79 € |
| 200 - 998 | 3,13 € | 6,26 € |
| 1000 - 1998 | 2,905 € | 5,81 € |
| 2000 + | 2,385 € | 4,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 427-754
- Nº ref. fabric.:
- DG75A08TDFQ
- Fabricante:
- Starpower
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 750 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 378 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247PLUS-4L | |
| Configuración | IGBT Plus sencillo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 750 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 378 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247PLUS-4L | ||
Configuración IGBT Plus sencillo | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 4 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Starpower IGBT Power Discrete proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como la energía solar.
Baja pérdida de conmutación
Temperatura máxima de unión de 175 °C
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Pérdida de recuperación inversa muy baja basada en diodo SiC
Temperatura máxima de unión de 175 °C
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Pérdida de recuperación inversa muy baja basada en diodo SiC