IGBT, GD75FSY120L3S, N-Canal, 75 A, 1200 V, Módulo PIM 6
- Código RS:
- 427-809
- Nº ref. fabric.:
- GD75FSY120L3S
- Fabricante:
- Starpower
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*precio indicativo
- Código RS:
- 427-809
- Nº ref. fabric.:
- GD75FSY120L3S
- Fabricante:
- Starpower
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 6 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 576 W | |
| Configuración | Puente hexagonal | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo PIM | |
| Tipo de Montaje | Montaje roscado | |
| Tipo de Canal | N | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 6 | ||
Disipación de Potencia Máxima 576 W | ||
Configuración Puente hexagonal | ||
Tipo de Encapsulado Módulo PIM | ||
Tipo de Montaje Montaje roscado | ||
Tipo de Canal N | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El módulo de alimentación Starpower IGBT proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una robustez de cortocircuito. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS.
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Temperatura máxima de unión de 175 °C
Caja de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave anti-FWD paralelo
Placa base de cobre aislado con tecnología DBC
Temperatura máxima de unión de 175 °C
Caja de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave anti-FWD paralelo
Placa base de cobre aislado con tecnología DBC