Módulo IGBT, 6MBI50U4A-120-50, Puente trifásico, 50 A, 1200 V, N-Canal, M636, 28-Pines Trifásico
- Código RS:
- 462-837
- Nº ref. fabric.:
- 6MBI50U4A-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
- Código RS:
- 462-837
- Nº ref. fabric.:
- 6MBI50U4A-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fuji Electric | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 275 W | |
| Configuración | Puente trifásico | |
| Tipo de Encapsulado | M636 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en PCB | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 28 | |
| Configuración de transistor | Trifásico | |
| Dimensiones | 107.5 x 45 x 17mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Fuji Electric | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 275 W | ||
Configuración Puente trifásico | ||
Tipo de Encapsulado M636 | ||
Tipo de Montaje Montaje en PCB | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 28 | ||
Configuración de transistor Trifásico | ||
Dimensiones 107.5 x 45 x 17mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Módulos IGBT de 6 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
Nota
Los valores de corriente máxima de colector (Ic) están indicados por el transistor del módulo.
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.