Microchip IGBT discreto, APT25GP120BSC15, Canal N-Canal, 69 A, 1200 V, TO-247, 3 pines 1 Orificio pasante

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Código RS:
838-597
Nº ref. fabric.:
APT25GP120BSC15
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

IGBT discreto

Corriente continua máxima de colector Ic

69A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

417W

Número de transistores

1

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Canal N

Número de pines

3

Certificaciones y estándares

JEDC

Anchura

16.26mm

Altura

5.31mm

Longitud

41.78mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El IGBT Punch Through de Microchip integra un transistor MOS 7 de potencia de alto rendimiento de 1200 V y 25 A con un diodo Schottky antiparalelo de carburo de silicio.

Tensión nominal de colector-emisor máxima de 1200 V

Tecnología de perforación Power MOS 7 avanzada

Diodo Schottky antiparalelo SiC integrado

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