Microchip IGBT discreto, APT25GP120BSC15, Canal N-Canal, 69 A, 1200 V, TO-247, 3 pines 1 Orificio pasante
- Código RS:
- 838-597
- Nº ref. fabric.:
- APT25GP120BSC15
- Fabricante:
- Microchip
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- 838-597
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- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente continua máxima de colector Ic | 69A | |
| Tipo de producto | IGBT discreto | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 417W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Número de pines | 3 | |
| Longitud | 41.78mm | |
| Anchura | 16.26mm | |
| Altura | 5.31mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente continua máxima de colector Ic 69A | ||
Tipo de producto IGBT discreto | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 417W | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Longitud 41.78mm | ||
Anchura 16.26mm | ||
Altura 5.31mm | ||
Certificaciones y estándares JEDC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El IGBT Punch Through de Microchip integra un transistor MOS 7 de potencia de alto rendimiento de 1200 V y 25 A con un diodo Schottky antiparalelo de carburo de silicio.
Tensión nominal de colector-emisor máxima de 1200 V
Tecnología de perforación Power MOS 7 avanzada
Diodo Schottky antiparalelo SiC integrado