IGBT, IHW30N135R3FKSA1, N-Canal, 30 A, 1350 V, TO-247, 3-Pines Simple

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 3 unidades)*

14,661 €

(exc. IVA)

17,739 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Está siendo descatalogado
  • Disponible(s) 6 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Última(s) 12 unidad(es) para enviar desde el 02 de enero de 2026
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
3 - 124,887 €14,66 €
15 - 274,397 €13,19 €
30 - 724,107 €12,32 €
75 - 1473,81 €11,43 €
150 +3,517 €10,55 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
110-7449
Nº ref. fabric.:
IHW30N135R3FKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1350 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

349 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Capacitancia de puerta

2066pF

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V


Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C


IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados