onsemi IGBT-Ultra Parada de Campo, NGTB25N120FL3WG, N-Canal, 25 A, 1.2 kV, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- Código RS:
- 123-8830P
- Nº ref. fabric.:
- NGTB25N120FL3WG
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 20 unidades (suministrado en tubo)*
114,40 €
(exc. IVA)
138,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 90 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 20 + | 5,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 123-8830P
- Nº ref. fabric.:
- NGTB25N120FL3WG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 25A | |
| Tipo de producto | IGBT-Ultra Parada de Campo | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1.2kV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 349W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 16.25mm | |
| Serie | Field Stop | |
| Longitud | 20.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 25A | ||
Tipo de producto IGBT-Ultra Parada de Campo | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1.2kV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 349W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 16.25mm | ||
Serie Field Stop | ||
Longitud 20.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.