- Código RS:
- 124-5386
- Nº ref. fabric.:
- NGTB30N120LWG
- Fabricante:
- onsemi
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Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 30)
4,493 €
(exc. IVA)
5,437 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
30 - 30 | 4,493 € | 134,79 € |
60 - 120 | 4,327 € | 129,81 € |
150 - 270 | 4,16 € | 124,80 € |
300 - 570 | 3,757 € | 112,71 € |
600 + | 3,332 € | 99,96 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 124-5386
- Nº ref. fabric.:
- NGTB30N120LWG
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Número de transistores | 1 |
Disipación de Potencia Máxima | 260 W |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 16.26 x 5.3 x 21.08mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 124-5386
- Nº ref. fabric.:
- NGTB30N120LWG
- Fabricante:
- onsemi