IGBT, IGW50N60TPXKSA1, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple

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Código RS:
144-1189
Nº ref. fabric.:
IGW50N60TPXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

319,2 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

30kHz

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Capacitancia de puerta

1950pF

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Energía nominal

2.38mJ

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V


Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C


IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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