IGBT, FGAF20N60SMD, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-3PF, 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 145-4382
- Nº ref. fabric.:
- FGAF20N60SMD
- Fabricante:
- onsemi
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 145-4382
- Nº ref. fabric.:
- FGAF20N60SMD
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PF |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.7 x 3.2 x 26.7mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
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