- Código RS:
- 807-0760
- Nº ref. fabric.:
- FGAF20N60SMD
- Fabricante:
- onsemi
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 807-0760
- Nº ref. fabric.:
- FGAF20N60SMD
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 75 W |
Tipo de Encapsulado | TO-3PF |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.7 x 3.2 x 26.7mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
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