Infineon IGBT, IKY50N120CH3XKSA1, 100 A, 1200 V, TO-247, 4 pines
- Código RS:
- 162-3316
- Nº ref. fabric.:
- IKY50N120CH3XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 162-3316
- Nº ref. fabric.:
- IKY50N120CH3XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 100A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 652W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Número de pines | 4 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.35V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 15.9 mm | |
| Longitud | 41.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 100A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 652W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Número de pines 4 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.35V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 15.9 mm | ||
Longitud 41.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
En respuesta al requisito del mercado de alta densidad de potencia y máximo rendimiento, los productos discretos de Infineon presentan el nuevo encapsulado emisor Kelvin TO-247PLUS de 4 pines para IGTB de 1.200 V. Mayor capacidad de corriente, mejor comportamiento térmico y deslizamiento C-E extendido son las características clave del encapsulado TO-247PLUS. La configuración del encapsulado de 4 pines proporciona una inductancia muy baja al bucle de control de puerta-emisor con el encapsulado de 4 pines directamente al controlador de puerta y permite la reducción de pérdidas de conexión E y desconexión E de hasta un 20 % inferior a ETS de pérdidas de conmutación totales.
Bucle de inductancia de control muy bajo con contacto de emisor adicional para retroalimentación de controlador
Reducción del 20 % de pérdidas de conmutación total en comparación con el encapsulado de 3 contactos usando la misma tecnología
IGBT de hasta 75 A, 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A en tamaño TO-247
IGTB de 1.200 V de máxima eficiencia con las pérdidas de conmutación más bajas
IGTB discreto de 1.200 V de alta densidad de potencia
Resistencia térmica más baja
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