IGBT, IKW40N120T2FKSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 165-8178
- Nº ref. fabric.:
- IKW40N120T2FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,595 € | 197,85 € |
| 60 - 120 | 6,265 € | 187,95 € |
| 150 + | 5,87 € | 176,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-8178
- Nº ref. fabric.:
- IKW40N120T2FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 480 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Energía nominal | 8.3mJ | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 2360pF | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 480 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Energía nominal 8.3mJ | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 2360pF | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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