Módulo IGBT, FF400R12KE3HOSA1, N-Canal, 580 A, 1.200 V, AG-62MM-1 Serie

Este módulo IGBT está diseñado para mejorar el rendimiento en diversas aplicaciones industriales. Con unas dimensiones de 106,4 x 61,4 x 30,9 mm, combina una alta eficiencia con unas especificaciones robustas, ofreciendo una corriente de colector continua máxima de 580 A y una tensión nominal de colector-emisor de 1200 V. Su diseño permite una integración eficaz en circuitos electrónicos de potencia, lo que lo convierte en la opción ideal para quienes necesitan soluciones IGBT modulares fiables.

• La tensión máxima del emisor de puerta de ±20 V proporciona flexibilidad operativa
• La alta capacidad de disipación de potencia de 2 kW satisface los requisitos más exigentes
• Diseñado para montaje en panel, lo que garantiza una instalación sencilla en diversos entornos
• La configuración en serie optimiza el espacio y la eficacia operativa

• Utilizado en circuitos inversores para maquinaria industrial
• Optimizado para sistemas de energía renovable, como inversores solares
• Eficaz en vehículos eléctricos y sistemas de propulsión
• Se utiliza en equipos de automatización de gran potencia en los que es vital una corriente elevada

La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,062 K/W, y de la carcasa al disipador es de 0,031 K/W, lo que garantiza una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.

Con una temperatura máxima de funcionamiento de +125 °C y una mínima de -40 °C, es adecuada para diversas condiciones ambientales y aplicaciones exigentes.

Un valor nominal de corriente de colector continua máxima de 580 A significa que este módulo IGBT puede manejar cargas de potencia significativas, por lo que es ideal para aplicaciones IGBT de alta corriente en entornos industriales.

Sí, la baja capacitancia de puerta de 28nF y las capacidades de accionamiento de puerta especificadas permiten una conmutación rápida eficiente, aumentando el rendimiento de los componentes electrónicos de potencia en los circuitos.

IGBT discretos y módulos, Infineon

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.