Módulo IGBT, 2MBI100U4A-120-50, N-Canal, 100 A, 1.200 V, M232, 7-Pines Serie

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Código RS:
168-4534
Nº ref. fabric.:
2MBI100U4A-120-50
Fabricante:
Fuji Electric
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Marca

Fuji Electric

Corriente Máxima Continua del Colector

100 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

540 W

Tipo de Encapsulado

M232

Configuración

Serie

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Configuración de transistor

Serie

Dimensiones

92 x 34 x 30mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

COO (País de Origen):
JP

Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric


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El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.