IXYS IGBT, IXA27IF1200HJ, Tipo N-Canal, ISOPLUS247, 3 pines
- Código RS:
- 168-4768
- Nº ref. fabric.:
- IXA27IF1200HJ
- Fabricante:
- IXYS
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 168-4768
- Nº ref. fabric.:
- IXA27IF1200HJ
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Encapsulado | ISOPLUS247 | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Encapsulado ISOPLUS247 | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
- COO (País de Origen):
- US
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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