IGBT, STGWT30V60F, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 168-7104
- Nº ref. fabric.:
- STGWT30V60F
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Precio unitario (En un Tubo de 30)
1,87 €
(exc. IVA)
2,26 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 30 + | 1,87 € | 56,10 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 168-7104
- Nº ref. fabric.:
- STGWT30V60F
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- KR
Datos del Producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 260 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-3P |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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