IGBT, IKP20N60TXKSA1, N-Canal, 41 A, 600 V, TO-220, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 170-2258
- Nº ref. fabric.:
- IKP20N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,959 € | 97,95 € |
| 100 - 200 | 1,764 € | 88,20 € |
| 250 + | 1,666 € | 83,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 170-2258
- Nº ref. fabric.:
- IKP20N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 41 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 166 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Energía nominal | 0.77mJ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 41 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 166 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Energía nominal 0.77mJ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
infineon
El Infineon IGBT es un transistor de montaje de orificio pasante de 3 pines con canal N A 220. Tiene una corriente nominal de 41A y una tensión nominal de 600V 3rd generación de IGBT conducción inversa optimizada para menores pérdidas de conmutación y conducción. Su comportamiento de conmutación suave permite un mejor rendimiento y un comportamiento EMI. Con la ayuda de este transistor, se puede lograr un excelente rendimiento a costos más bajos.
Características y ventajas
• Rentable
• Alta eficacia
• bajas emisiones de EMI
• bajas pérdidas de conmutación
• caída de V ce (SAT) más baja para pérdidas de conducción más bajas
• la máxima disipación de potencia es 166W
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -40°C y 175°C.
• Menor disipación de potencia
• capacidad de corriente de sobrevoltaje
• diodo controlado por emisor antiparalelo De recuperación Muy suave y rápida
• Alta eficacia
• bajas emisiones de EMI
• bajas pérdidas de conmutación
• caída de V ce (SAT) más baja para pérdidas de conducción más bajas
• la máxima disipación de potencia es 166W
• rango de temperaturas de funcionamiento entre -40°C y 175°C.
• Menor disipación de potencia
• capacidad de corriente de sobrevoltaje
• diodo controlado por emisor antiparalelo De recuperación Muy suave y rápida
Aplicaciones
• Electrodomésticos
• estufas de cocción por inducción
• Accionadores industriales
• hornos microondas
• Cocina de arroz
• UPS
• Soldadura
• estufas de cocción por inducción
• Accionadores industriales
• hornos microondas
• Cocina de arroz
• UPS
• Soldadura
Certificaciones
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• bs en 61340-5-1:2007