Módulo IGBT, FS25R12W1T4B11BOMA1, N-Canal, 45 A, 1.200 V, AG-EASY1B-1 Trifásico

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Código RS:
178-1383
Nº ref. fabric.:
FS25R12W1T4B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

45 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

205 W

Configuración

Puente trifásico

Tipo de Encapsulado

AG-EASY1B-1

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Tipo de Canal

N

Configuración de transistor

Trifásico

Dimensiones

33.8 x 48 x 12mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
DE

Módulo IGBT, Infineon


La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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