IGBT, FGY75T95LQDT, 950 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 195-2576P
- Nº ref. fabric.:
- FGY75T95LQDT
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 195-2576P
- Nº ref. fabric.:
- FGY75T95LQDT
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 950 V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 453 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 950 V | ||
Disipación de Potencia Máxima 453 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Trench Field Stop 4th generación Low Vcesat IGBT CO−con diodo nominal de corriente completa
Temperatura de conexión máxima: TJ = 175℃
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,31 V (típ.) con IC = 75 A
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Estos dispositivos no contienen plomo
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,31 V (típ.) con IC = 75 A
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Estos dispositivos no contienen plomo