IGBT, STGWA30HP65FB, N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Emisor común
- Código RS:
- 202-5515P
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Código RS:
- 202-5515P
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 30 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 260 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Emisor común | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 30 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 260 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Emisor común | ||
El IGBT de la serie HB de alta velocidad de STMicroelectronics se ha desarrollado usando una estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdida de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia.
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida
Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida