STMicroelectronics IGBT, STGWA40H65DFB2, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines 1
- Código RS:
- 202-5517P
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 202-5517P
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
El IGBT de alta velocidad de la serie HB2 de STMicroelectronics representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo