STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

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206-7212P
Nº ref. fabric.:
STGWA75H65DFB2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

115A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

357W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHZ

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

15.9mm

Serie

STG

Estándar de automoción

No

IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 75 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.

VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.

Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

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