IGBT, STGW75H65DFB2-4, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
206-8629P
Nº ref. fabric.:
STGW75H65DFB2-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

115 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

357 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Conteo de Pines

4

STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto kelvin de accionamiento adicional

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