IGBT, STGW100H65FB2-4, N-Canal, 145 A, 650 V, TO247-4, 4-Pines 1 Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
212-2107P
Nº ref. fabric.:
STGW100H65FB2-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

145 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

441 W

Tipo de Encapsulado

TO247-4

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Configuración de transistor

Simple

IGBT


STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para una amplia gama de aplicaciones rápidas.

Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)