onsemi AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 214-8783
- Nº ref. fabric.:
- AFGHL75T65SQDC
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 4,904 € | 147,12 € |
| 60 - 60 | 4,718 € | 141,54 € |
| 90 + | 4,654 € | 139,62 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-8783
- Nº ref. fabric.:
- AFGHL75T65SQDC
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | Trench | |
| Certificaciones y estándares | PPAP capable, AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie Trench | ||
Certificaciones y estándares PPAP capable, AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
on Semiconductor serie AFGHL es un IGBT que ofrece un rendimiento óptimo con pérdidas de conmutación y conducción bajas para operaciones de alta eficiencia en diversas aplicaciones, que no requieren una especificación de recuperación inversa.
Capacidad de corriente alta
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada