IGBT, IKW75N65EH5XKSA1, 90 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- Código RS:
- 215-6674
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,888 € | 116,64 € |
| 60 - 120 | 3,694 € | 110,82 € |
| 150 + | 3,538 € | 106,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-6674
- Nº ref. fabric.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 90 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20 V, ±30 V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 395 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 90 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20 V, ±30 V | ||
Disipación de Potencia Máxima 395 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada con tecnología H5 de alta velocidad.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética