Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 1500 A, 1.2 kV, PRIME3, 10 pines Superficie 2
- Código RS:
- 218-4322
- Nº ref. fabric.:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 1500A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1.2kV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | PRIME3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 10 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 86 mm | |
| Longitud | 247mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 38.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 1500A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1.2kV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado PRIME3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 10 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 86 mm | ||
Longitud 247mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 38.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT doble Infineon PrimePack con tecnología de interconexión TRENCHSTOP IGBT5 y .XT. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V. Los módulos IGBT de parada de campo y TRENCHSTOP de canal N son adecuados para aplicaciones de conmutación dura y conmutación suave como convertidores de alta potencia, sistemas SAI, controladores de motor y aplicaciones solares.
Se adhiere de cobre para ofrecer capacidades de transporte de alta corriente
Sinterización de chips para obtener las mayores capacidades de ciclo de alimentación
Pérdidas totales reducidas en hasta un 20%
Menos esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
Permite condiciones de sobrecarga del sistema más altas
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