IGBT, IHW30N160R5XKSA1, N-Canal, 30 A, 1600 V, TO-247, 3-Pines 1
- Código RS:
- 218-4398
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,896 € | 86,88 € |
| 60 - 120 | 2,751 € | 82,53 € |
| 150 + | 2,635 € | 79,05 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-4398
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N160R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 30 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 263 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 30 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 263 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
IGBT Infineon, corriente de colector continua máxima de 30 A, tensión de emisor de colector máxima de 1600 V - IHW30N160R5XKSA1
Este IGBT es un robusto dispositivo semiconductor diseñado para aplicaciones de alta tensión, con una corriente de colector máxima de 30 A y que funciona en un rango de temperaturas de -40 °C a +175 °C. El encapsulado TO-247 garantiza una instalación cómoda, mientras que sus dimensiones de 16,3 x 21,5 x 5,3 mm proporcionan una solución compacta para diversas necesidades electrónicas.
Características y ventajas
• Capacidad de conducción inversa para mejorar el rendimiento
• El diodo de cuerpo monolítico reduce la pérdida de tensión directa
• La estrecha distribución de los parámetros aumenta la fiabilidad
• Su gran robustez mejora la durabilidad en condiciones exigentes
• Las bajas emisiones EMI garantizan interferencias mínimas en los circuitos
• El diodo de cuerpo monolítico reduce la pérdida de tensión directa
• La estrecha distribución de los parámetros aumenta la fiabilidad
• Su gran robustez mejora la durabilidad en condiciones exigentes
• Las bajas emisiones EMI garantizan interferencias mínimas en los circuitos
Aplicaciones
• Para cocinas de inducción
• Apto para circuitos de hornos microondas
• Ideal para diversas conmutaciones de alta tensión
• Compatible con módulos de alimentación semiconductores especializados
• Apto para circuitos de hornos microondas
• Ideal para diversas conmutaciones de alta tensión
• Compatible con módulos de alimentación semiconductores especializados
¿Cuáles son las principales características térmicas de este dispositivo?
La resistencia térmica de la unión al ambiente es de 40 K/W, y la resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,57 K/W, lo que garantiza una gestión eficaz del calor en condiciones de carga.
¿Cómo gestiona este módulo IGBT las aplicaciones de alta tensión?
Presume de una tensión nominal de colector-emisor de hasta 1600 V, lo que lo hace adecuado para entornos de alta tensión, al tiempo que mantiene un funcionamiento seguro por encima de los límites especificados.
¿Qué implicaciones tiene la disipación máxima de potencia para el diseño?
Con una disipación de potencia máxima de 263 W, permite una gestión eficiente de la energía, garantizando que el dispositivo pueda funcionar eficazmente sin sobrecarga térmica en aplicaciones típicas.