Nº ref. fabric.

onsemi IPM, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.2 kV, DIP, 39 pines Superficie, 20 kHz

Código RS:: 221-6684
Nº ref. fabric.:: NFAM0512L5BT
Fabricante:: onsemi

onsemi IPM, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.2 kV, DIP, 39 pines Superficie, 20 kHz

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Código RS:: 221-6684
Nº ref. fabric.:: NFAM0512L5BT
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Estándar de automoción	No
	Tipo de producto	IPM
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de colector (Ic)	5 A
	Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO)	1.2 kV
	Encapsulado	DIP
	Número de pines	39
	Tipo de montaje	Superficie
	Velocidad de conmutación	20 kHz
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor (VCE(SAT))	2.5 V
	Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO)	16.5 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd)	59 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
	Serie	IPM
	Certificaciones y estándares	UL1557

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Estándar de automoción No
	Tipo de producto IPM
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de colector (Ic) 5 A
	Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) 1.2 kV
	Encapsulado DIP
	Número de pines 39
	Tipo de montaje Superficie
	Velocidad de conmutación 20 kHz
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor (VCE(SAT)) 2.5 V
	Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) 16.5 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd) 59 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
	Serie IPM
	Certificaciones y estándares UL1557

Datasheet - NFAM0512L5BT

The ON Semiconductor NFAM0512L5BT is a fully−integrated inverter power module consisting of an independent High side gate driver, LVIC, six IGBT’s and a temperature sensor (VTS and NTC Thermistor), suitable for driving permanent magnet synchronous (PMSM) motors, brushless DC (BLDC) motors and AC asynchronous motor.

Active Logic Interface

Built−in Under−voltage protection

Integrated bootstrap diodes and resistors

Separate low−side IGBT emitter connections for individual current sensing of each phase

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