IGBT, FF900R12ME7B11BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, AG-ECONOD Emisor común

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Código RS:
222-4798
Nº ref. fabric.:
FF900R12ME7B11BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

900 MHZ

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

20V

Disipación de Potencia Máxima

20 mW

Tipo de Encapsulado

AG-ECONOD

Configuración

Doble

Tipo de Canal

N

Configuración de transistor

Emisor común

El módulo Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A doble TRENCHSTOP™ IGBT7 con diodo controlado por emisor 7, NTC y tecnología de contacto Pressfit. También disponible con material de interfaz térmica preaplicado.

Máxima densidad de potencia
El mejor VCE de su clase
TVJ op = sobrecarga de 175 °C.
Terminales mejorados
Distancia de separación optimizada para aplicaciones fotovoltaicas de 1.500 V.

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