IGBT, FP50R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, AG-EASY2B Emisor común

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Código RS:
222-4801
Nº ref. fabric.:
FP50R12W2T7B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

20V

Disipación de Potencia Máxima

20 mW

Tipo de Encapsulado

AG-EASY2B

Tipo de Canal

N

Configuración de transistor

Emisor común

El módulo IGBT PIM (módulos integrados de potencia) de rectificador de entrada trifásica Infineon EasyPIM™ 2B de 1200 V Y 50 A con TRENCHSTOP™ IGBT7, diodo controlado por emisor 7, NTC y tecnología de contacto Pressfit.

Baja VCEsat
TRENCHSTOP™ IGBT7
Funcionamiento de sobrecarga hasta 175 °C.
Aislamiento de 2,5 kV ac 1min
Sustrato de Al2O3 con baja resistencia térmica
Alta densidad de potencia
Diseño compacto
Tecnología de contacto Pressfit

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