IGBT, IKP40N65F5XKSA1, N-Canal, 74 A, 650 V, PG-TO220, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 226-6106
- Nº ref. fabric.:
- IKP40N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6106
- Nº ref. fabric.:
- IKP40N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 74 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 255 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO220 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 74 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 255 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO220 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El Infineon IKP40N65F5 es un IGBT de conmutación dura de alta velocidad de 650 V que se utiliza junto con tecnología de diodo Schottky Rapid. Tiene un diseño de densidad de potencia superior y COES/EOSS bajo.
Factor 2,5: QG inferior
Reducción del factor 2 en pérdidas de conmutación
Reducción de 200mV en VCEsat
Reducción del factor 2 en pérdidas de conmutación
Reducción de 200mV en VCEsat