STMicroelectronics IGBT, STGYA75H120DF2, Tipo N-Canal, 150 A, 1200 V, Max247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 234-8894P
- Nº ref. fabric.:
- STGYA75H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 5 - 9 | 7,51 € |
| 10 - 24 | 6,76 € |
| 25 - 49 | 6,31 € |
| 50 + | 6,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 234-8894P
- Nº ref. fabric.:
- STGYA75H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 150A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 750W | |
| Encapsulado | Max247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 150A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 750W | ||
Encapsulado Max247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de STMicroelectronics desarrollado con una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja propia. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Temperatura de unión máxima TJ = 17ºC
5 μs de tiempo de resistencia a cortocircuitos
VCE(sat) = 2,1 V (típ.) a IC = 75 A
Distribución de parámetros ajustada
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida