Módulo IGBT, FZ825R33HE4DBPSA1, 825 A., 3300 V., AG-IHVB130 2
- Código RS:
- 236-5199
- Nº ref. fabric.:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 236-5199
- Nº ref. fabric.:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 825 A. | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 3300 V. | |
| Disipación de Potencia Máxima | 2400 kW | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | AG-IHVB130 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 825 A. | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 3300 V. | ||
Disipación de Potencia Máxima 2400 kW | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado AG-IHVB130 | ||
El módulo IGBT de un solo interruptor Infineon está equipado con TRENCHSTOP™ IGBT4 y diodo 4 controlado por emisor. Este módulo tiene una alta densidad de potencia y placa base de SiC para aumentar la capacidad de ciclo térmico.
VCES es de 3300 V.
El tamaño de IC es de 825 A
El ICRM es de 1650 A.
Retiene alta densidad de corriente
El tamaño de IC es de 825 A
El ICRM es de 1650 A.
Retiene alta densidad de corriente