Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM75GB12F4, 113 A, 1.28 V, SEMITRANS2, 9 ns 2
- Código RS:
- 248-6711
- Nº ref. fabric.:
- SKM75GB12F4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 248-6711
- Nº ref. fabric.:
- SKM75GB12F4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 113A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1.28V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | SEMITRANS2 | |
| Velocidad de conmutación | 9ns | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.93V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 34mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 30mm | |
| Longitud | 94mm | |
| Serie | SKM75 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 113A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1.28V | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado SEMITRANS2 | ||
Velocidad de conmutación 9ns | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.93V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 34mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 30mm | ||
Longitud 94mm | ||
Serie SKM75 | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de la serie SEMITRANS de Semikron tiene un colector de 1.200 V para la tensión de emisión. Se utiliza principalmente en UPS, soldadores electrónicos, calefacción inductiva, fuentes de alimentación de modo conmutado.
Mayor capacidad de ciclo de potencia
Placa base de cobre aislada con tecnología DBC (cobre unido directamente)
Para frecuencias de conmutación superiores a 15 kHz
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