Infineon Módulo IGBT, FF750R17ME7DB11BPSA1, 750 A, 1700 V, EconoDUALTM3 2
- Código RS:
- 250-0225
- Nº ref. fabric.:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 250-0225
- Nº ref. fabric.:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 750A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1700V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | EconoDUALTM3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.1V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Serie | FF | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 750A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1700V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado EconoDUALTM3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Serie FF | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT7 TRENCHSTOP™ doble Infineon EconoDUAL™ 3 de 1.700 V, 750 A con 7 diodos controlados por emisor ampliado, NTC y tecnología de contacto PressFIT.
Sensor de temperatura integrado
Alta densidad de corriente
Baja VCE, instalada
Funcionamiento de sobrecarga de hasta 175 °C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, instalada con coeficiente de temperatura positivo
Diodo ampliado para funcionamiento regenerativo
Alta densidad de potencia
Placa base aislada
Tecnología de contacto PressFIT
Carcasa estándar