Nº ref. fabric.

IGBT, BIDNW30N60H3, 30 A, 600 V, TO-247N 1

Código RS:: 253-3503P
Nº ref. fabric.:: BIDNW30N60H3
Fabricante:: Bourns

IGBT, BIDNW30N60H3, 30 A, 600 V, TO-247N 1

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Código RS:: 253-3503P
Nº ref. fabric.:: BIDNW30N60H3
Fabricante:: Bourns

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Bourns
	Corriente Máxima Continua del Colector	30 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor	600 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Número de transistores	1
	Disipación de Potencia Máxima	230 W
	Tipo de Encapsulado	TO-247N
	Configuración	Diodo simple

	Seleccionar todo
	Marca Bourns
	Corriente Máxima Continua del Colector 30 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Número de transistores 1
	Disipación de Potencia Máxima 230 W
	Tipo de Encapsulado TO-247N
	Configuración Diodo simple

Datasheet - BIDNW30N60H3

El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación.

600 V, 30 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Pérdida de conmutación baja
Conmutación rápida
Conforme con RoHS